کسب‌و‌کار سامسونگ فاندری (زیرمجموعه‌ی سامسونگ الکترونیکس) در جریان نمایشگاه SFF 2024 در ایالات متحده از نقشه‌ی راه به‌روزشده‌ی تراشه‌های خود رونمایی کرد. بر همین اساس، غول کره‌ای قصد دارد در سال ۲۰۲۵ تراشه‌های ۲ نانومتری و در سال ۲۰۲۷ ترشه‌های ۱٫۴ نانومتری را تولید کند.

در جریان نمایشگاه SFF 2024 در سن‌خوزه‌ی کالیفرنیا، سامسونگ از دو نود پیشرفته‌ی جدید SF2Z و SF4U پرده برداشت. نسل اول فرایند ۲ نانومتری با نام SF2 سال ۲۰۲۵ تولید خواهد شد و نسخه‌ی بهبودیافته‌ی فرآیند ۲ نانومتری با نام SF2P در سال ۲۰۲۶ آماده‌ی تولید خواهد بود.

نانومتر در دنیای تراشه به لیتوگرافی اشاره دارد؛ منظور از لیتوگرافی، فاصله‌ی بین ترانزیستورها است. هرچه عدد کوچک‌تر باشد، تراشه قوی‌تر و کم‌مصرف‌تر است.

نسخه‌ی ویژه‌ای از نوپد ۲ نانومتری سامسونگ (SF2X) برای تراشه‌های هوش مصنوعی و محاسبات پیشرفته (HPC و سرورها) طراحی شده است. از طرفی SF2Z، فرآیند ۲ نانومتری نسل چهارم سامسونگ، از فناوری پیشرفته‌ی انتقال انرژی (BSPDN‌ یا Backside Power Delivery Network) برای بهره‌وری در انرژی و دما استفاده می‌کند.

نسخه‌ی دیگری از لیتوگرافی ۲ نانومتری سامسونگ (SF2A) با معماری ترانزیستور GAA (یا Gate All Around) در سال ۲۰۲۷ برای خودروها تولید خواهد شد؛ GAA نخستین‌بار با فرآیند ۳ نانومتری سامسونگ معرفی شد.

سامسونگ تولید انبوه تراشه‌های ۳ نانومتری SF3E خود را نیمه‌ی دوم سال ۲۰۲۲ آغاز کرد، اما آن تراشه‌ها تنها برای استخراج ارزهای دیجیتال قابل استفاده بودند. حال نسل دوم تراشه‌های ۳ نانومتری با نام SF3 آماده‌ی تولید انبوه است و گزارش‌ها می‌گویند اگزینوس W1000 از این فناوری استفاده خواهد کرد.

سیونگ‌چوی، رئیس سامسونگ فاندری، گفت: «هرچه هوش مصنوعی قدرتمندتر می‌شود، برای انجام پردازش‌هایش به پردازنده‌های قدرتمندتر و کم‌مصرف‌تری نیاز خواهیم داشت. ما قصد داریم در کنار فرایند GAA که برای تراشه‌های هوش مصنوعی بهینه شده، فناوری اپتیک یکپارچه (CPO) را برای پردازش داده‌های پرسرعت و کم‌مصرف معرفی کنیم و به مشتریانی که به پیشرفت نیاز دارند، راهکارهای یک مرحله‌ای ارائه کنیم.»