عمومی

بازده اندک فرایند ۴ نانومتری سامسونگ را به جایگزینی رئیس مرکز تحقیقات نیمه‌هادی مجبور کرد

تجارت نیمه‌هادی سامسونگ موضوعی بحث‌برانگیز است؛ به‌خصوص زمانی که فرایند پیشرفته چهارنانومتری را شامل می‌شده است. به‌گزارش wccftech، غول فناوری کره‌ای به‌دلیل ازدست‌دادن مشتریان و درنتیجه کسب‌وکار، چاره‌ای جز جایگزینی رئیس مرکز تحقیقات نیمه‌هادی خود نداشت. مرکز تحقیقات نیمه‌هادی سامسونگ روی تولید تراشه‌های نسل بعدی متمرکز شده است؛ درحالی‌که این شرکت اکنون برای جلوگیری از مشکلات آینده به بخش‌های مختلف نیاز دارد.

براساس اطلاعات جدید Business Korea، سامسونگ اکنون سونگ جائه‌هیوک (Song Jae-hyuk)، نایب‌رئیس و رئیس بخش توسعه فلش را به‌عنوان رئیس جدید مرکز تحقیقات نیمه‌هادی منصوب کرده است. بزرگ‌ترین دستاورد Song تغییر فلش‌های NAND عمودی و ساخت فلش‌های NAND super-stacked بود.

تغییرات دیگری نیز در بخش‌های مختلف کسب‌وکار سامسونگ، ازجمله تولید حافظه و ریخته‌گری و راهکارهای دستگاه اعمال شده است. تحلیلگری ناشناس در یکی از شرکت‌های سرمایه‌گذاری‌ بیان کرد که تغییر بخشی غیرطبیعی است؛ اما سامسونگ ظاهراً قصد دارد راهکاری برای مشکلات بیابد؛ از‌جمله راهکاری که بتواند درصد بازدهی مطلوبی از تراشه‌های نسل بعدی ایجاد کند. سامسونگ الکترونیکس به‌دلیل بازدهی اندک و تولیدنکرد DRAMهای نسل پنجم، دچار روی‌گردانی مشتری در کارخانه ریخته‌گری شده است. به‌نظر می‌رسد که این شرکت به‌دنبال یافتن راهکارهایی برای این مشکلات است.

بر کسی پوشیده نیست که سامسونگ با فرایند چهار‌نانومتری خود دست‌وپنجه نرم می‌کرد که همین امر احتمالاً باعث تعدیل مدیران ارشد شده است. براساس شایعات قبلی، سامسونگ نرخ بازدهی حدود ۳۵ درصد را تجربه کرده است؛ درحالی‌که گفته می‌شود TSMC بیش از ۷۰ درصد بازدهی دارد. این موضوع به‌طور طبیعی کوالکام را مجبور کرد تا فرایند چهارنانومتری سامسونگ را کنار بگذارد و به TSMC بپیوندد. اگر اطلاع ندارید، جدیدترین تراشه‌ی کوالکام، یعنی Snapdragon 8 Plus Gen 1، به‌صورت انبوه در گره چهار‌نانومتری این غول تایوانی تولید می‌شود.

این تغییر نیز احتمالاً برای بهبود نرخ بازده فناوری سه‌نانومتری GAA آینده‌ی خود اعمال می‌شود که طبق شنیده‌ها، تولید انبوه آن در نیمه‌ی دوم سال ۲۰۲۲ آغاز خواهد شد. براساس گزارشی، سامسونگ از جو بایدن، رئیس‌جمهور ایالات متحده، دعوت کرده است تا از تأسیسات تولید سه‌نانومتری بازدید کند. افزون‌براین، احتمالاً بایدن را متقاعد می‌کند که به شرکت‌های آمریکایی مانند کوالکام اجازه دهد بار‌دیگر با تولیدکنندگان کره‌ای همکاری کنند. متأسفانه به‌نظر می‌رسد پیشرفت در فناوری سه‌نانومتری GAA در حال کاهش است؛ چراکه گفته می‌شود سامسونگ نرخ بازدهی بدتری از فناوری چهار‌نانومتری‌ خود دارد.

  • با وجود شایعات حذف اگزینوس از پرچمدارها، سامسونگ Exynos 2300 را با لیتوگرافی ۳ نانومتری تولید می‌کند

تغییر ساختار می‌تواند تراشه‌های آینده گوشی‌های هوشمند سامسونگ را برای پرچم‌داران گلکسی نیز بهبود بخشد. ظاهراً این شرکت کارگروهی مشترک برای توسعه سیلیکون سفارشی ایجاد کرده است که از رقبا پیشی خواهد گرفت. این کارگروه شامل کارمندانی می‌شود که از بخش‌های مختلف کسب‌وکار سامسونگ استخدام شده‌اند تا باهم کار و از هرگونه مشکلی جلوگیری کنند؛ اما احتمالاً چند سال طول می‌کشد تا این برنامه‌ها نتایج واقعی را نشان دهند.

مجله خبری lastech

نمایش بیشتر

نوشته های مشابه

دیدگاهتان را بنویسید

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *

همچنین ببینید
بستن
دکمه بازگشت به بالا